Монокристаллические пленки серебра и других металлов

Contact us

Please email at fmn@bmstu.ru

Монокристаллические пленки серебра и других металлов



МАТЕРИАЛЫ: Al, Ag, Au

ЧИСТОТА МАТЕРИАЛА: 99,999% 

ТОЛЩИНА ПЛЕНКИ: 35-1000 нм

СРЕДНЕКВАДРАТИЧНОЙ ШЕРОХОВАТОСТИ Rq: <0,30 нм 




Применение              Преимущества              Параметры


ПРИМЕНЕНИЕ

Пленки изготовлены по уникальной SCULL-технологии формирования эпитаксиальных материалов (российский патент RU2691432C1). Технология позволяет изготавливать сплошные монокристаллические (лучшие значения показателя уширения пика FWHM для «омега» дифрактограммы менее 0.3°) пленки серебра толщиной от 35 нм с лучшими значениями среднеквадратичной шероховатости менее 0,1 нм. 

SCULL-технология позволяет изготавливать сплошные монокристаллические (параметр FWHM для «омега» дифрактограммы менее 0.3°) пленки серебра толщиной от 35 нм со среднегеометрическим значением шероховатости менее 0,1 нм, измеренным атомно-силовым микроскопом. Оптические свойства пленки серебра (ε’, ε’’) и длина распространения плазмона на ней ~200 мкм (подробнее) близки к наилучшим экспериментальным результатам (подробнее).

Получение пленок с подобными характеристиками возможно благодаря тому, что SCULL-технология фундаментально отличается от PVD и MBE методов осаждения. Ее преимущество заключается в том, что процесс роста пленок осуществляется по многоступенчатой технологии. Разделение процесса синтеза пленки на этапы позволяет прецизионно управлять ростом на каждом стадии. Управление процессом осуществляется посредством подбора интегральной энергии приходящих на подложку атомарных кластеров и количества материала, осаждаемого на поверхность в единицу времени. Для этого на каждом этапе осаждения устанавливаются определенная скорость испарения и температура подложкодержателя.

Технология SCULL не требует адгезионных слоев и позволяет формировать пленки в условиях стандартной чистой комнаты на стандартной высоковакуумной установке электронно-лучевого испарения. Благодаря этому достигается высокая производительность процесса и более привлекательная цена. 


ПРЕИМУЩЕСТВА

  • Чистота материала для испарения достигает 99,999%. 
  • Все пленки готовы к использованию; осаждение осуществляется непосредственно перед отправкой. 
  • Параметры качества продукции подтверждаются массой метрологических измерений. 
  • Пленки монокристаллические, ориентация: <111> (FWHM <0.5˚ ω-скан XRD).
  • Пленки сверхгладкие, среднеквадратичная шероховатость Rq<0,30 нм для измерения атомно-силовым микроскопом на поле 2,5х2,5 мкм2. 
  • Срок производства пленки: 1 неделя. 

ПАРАМЕТРЫ


Тип пластины

Тип пленки

Шероховатость

Оптические
характеристики

Площадь 
покрытия, мм

Толщина слоя 
металла, нм

Геометрия 
слоя

Тип: Si <111>

Ориентация: <111>±0.2˚

Показатель преломления (λ=628 нм): 3.91

Ag 99,999%

Ориентация: <111> 

(FWHM <0.5˚ ω-скан XRD)

(2,5х2,5 мкм2): <0,30 нм

(50х50 мкм2): <1,00 нм

ε’’<0.5 для λ=400..700 нм

ε’’<1.8 для 2λ=700..1000 нм

20х20

35-1000


SCULL
Характеризация структуры SCULL-пленки Ag (111) толщиной 37 нм

(a) Для дифрактограммы (θ-2θ) обнаружены только пики подложки Ag (111) и Si (111). 
(б) Измерена кривая качания (ω-сканирование) через дифракционный пик Ag (111). 
(c) Измерена дифрактограмма под скользящим углом в плоскости Ag (111) (phi-сканирование). 
(d) Измерена рентгеновская рефлектометрия. 
(e) Получены HRTEM-изображение и дифракция электронов (вставка в правом углу). 
(h) Изображения SEM со вставками EBSD. Обратные полюсные фигуры EBSD снимков, показанные над снимками SEM, демонстрируют высоконаправленное распределение ориентаций кристаллов пленки SCULL. 



News