Комплекс нанесения, сушки и проявления резистов

  

Установка для обработки пластин в парах ГМДС 

Установка предназначена для предварительной подготовки поверхности пластины перед нанесением фоторезиста (дегидратации и обработка в парах гексаметилдисилазана). Обеспечивает высокую равномерность и стабильность нагрева.

Основные характеристики и возможности:

• размер подложек: диаметр от 1 до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
• диапазон температур: от комнатной до 300 ^оС, точность поддержания температуры: 0.1 ^оС;
• равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;

• три метода сушки: контактная, вакуумная и с микрозазором.

Установка нанесения фоторезиста  

Установка предназначена для нанесения электроно- и фоторезистов методом центрифугирования и сушки на горячей плите. Оснащена шприцевой системой дозирования резиста, системами отмывки края сверху и снизу.

Основные характеристики и возможности:

• размер подложек: от 1 до 200 мм, квадратные 7” x 7”;
• скорость центрифугирования до 12000 об/мин, точность задания скорости 0.2 об/мин;
• ускорение центрифуги до 30000 об/мин/сек без нагрузки, до 23000 об/мин/сек с подложкой 200 мм;
• диапазон температур: от комнатной до 300 ^оС, точность поддержания температуры: 0.1 ^оС;
• равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;

• три метода сушки: контактная, вакуумная и с микрозазором (программируемые загрузочные штифты);
• возможность работы как с пластинами, так и с фотошаблонами.

 

Установка сушки фоторезиста 

Установка предназначена для термической обработки пластин на разных этапах формирования фоторезистивной маски (постэкспозиционная термообработка, сушка, дубление).

Основные характеристики и возможности:

• размер подложек: диаметр от 3 мм до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
• диапазон температур: от комнатной до 400 ^оС, точность поддержания температуры: 0.1 ^оС;
• равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
• возможность управления скоростью нагрева и сушки подложек в инертной среде.

 

Установка охлаждения пластин 

Установка предназначена для охлаждения подложек после температурных обработок на различных этапах формирования фоторезистивной маски.

Основные характеристики и возможности:

• размер подложек: диаметр от 1 до 200 мм, квадратные 8” x 8”;
• диапазон температур от 15 ^оС до комнатной, точность поддержания температуры: 0.1 ^оС;
• равномерность температуры по поверхности нагревательной плиты: 0.3 %;
• возможность охлаждения в контакте, с зазором, в вакуумном контакте.

 

Установка проявления фоторезиста  

Установка предназначена для проявления электроно- и фоторезистов после экспонирования, а также для lift-off процесса (взрывная литография).

Основные характеристики и возможности:

• размер подложек: от 1 до 200 мм, квадратные 7” x 7”;
• скорость центрифугирования до 12000 об/мин, точность задания скорости 0.2 об/мин;
• ускорение центрифуги до 30000 об/мин/сек без нагрузки, до 23000 об/мин/сек с подложкой 200 мм;
• 5 каналов подачи проявителя;
• возможность спреевого и струевого проявления.