Установка предназначена для формирования изображения с топологическими размерами до 10 нм в слое резиста с помощью сфокусированного электронного пучка.
Основные характеристики и возможности:
разрешение 10 нм (с периодом 40 нм);
ускоряющее напряжение электронного пучка от 10 до 50 кВ;
ток пучка 50 пА – 40 нА;
минимальная адресная сетка 0.5 нм в поле 500 мкм;
максимальное поле экспонирования 500 мкм2 с возможностью коррекции фокуса в реальном времени;
точность сшивки полей 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
область экспонирования 150 х 150 мм;
автоматическое или ручное задание меток совмещения (до 9 меток в каждом поле экспонирования);
автоматическое, полуавтоматическое или ручное распознавание меток;
точность совмещения 25 нм (+3σ) в поле 100 мкм и 35 нм (+3σ) в поле 500 мкм;
автоматическая коррекция фокуса;
возможность коррекции формы пучка в процессе экспонирования