Установки плазмохимической очистки и активации поверхности

Установка плазмохимической очистки, снятия резиста и травления

 
Установка предназначена для плазменной очистки поверхности подложек и пластин, для удаления толстых слоев фоторезиста и полиимида. Конфигурация системы позволяет работать в нескольких режимах: «жестком», обеспечивающим наибольшую скорость снятия, и более мягком с минимальными повреждениями поверхности пластины. Температурный диапазон: от 30 до 250 ^оС. Применение данной установки позволяет заменить токсичные жидкостные процессы очистки на более эффективные и безопасные плазмохимические.

Установка обеспечивает следующие технологические процессы:

• снятие фоторезиста со скоростью 7000 А/мин и однородностью по пластине 10 %;
• удаление полиимидов и остатков полимера после Bosch процесса;
• очистка от органических соединений;
• травление;
• подготовка поверхности.

Установка плазмохимической очистки и активации


Установка предназначена для плазмохимической подготовки поверхности образцов перед такими процессами, как нанесение фоторезиста и напыление металлических слоев.

Возможно осуществление следующих процессов:

• очистка металлов (медь, алюминий, золото, серебро, нержавеющая сталь), пластиков (ABS, PA, PE, POM, PP), а также стекла и сапфира;
• активация металлов, пластиков, а также стекла и сапфира;
• травление металлов и пластиков, а также стекла и сапфира.

Рабочая среда: кислород или аргон.
Размер обрабатываемых подложек: до 100 мм в диаметре
Частота генератора: 40 кГц